科思特CS350M電化學(xué)工作站硬件特點(diǎn)
? 電流控制范圍:±2.0A
? 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
? 高帶寬高輸入阻抗的放大器
? 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V
? 高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
? 內(nèi)置FRA頻響分析儀,頻率范圍 10μHz ~1MHz
? 電位分辨率:10μV,電流分辨率:1pA(可延伸至100fA)
? 雙道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
科思特CS350M電化學(xué)工作站應(yīng)用
? 電化學(xué)分析研究
? 金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)
? 緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)
? 電合成、電沉積(電鍍)、陽(yáng)極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究
? 能源材料(鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等)、先進(jìn)功能材料以及傳感器的性能研究
科思特CS350M電化學(xué)工作站硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位控制范圍
|
±10V
|
恒電流控制范圍
|
±2.0A
|
電位控制精度
|
0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV
|
電流控制精度
|
0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)
|
電位靈敏度
|
10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
|
電流靈敏度
|
1pA
|
電位上升時(shí)間
|
﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)
|
電流量程
|
2nA~2A, 共10檔
|
參比電極輸入阻抗
|
1012Ω||20pF
|
較大輸出電流
|
2.0A
|
槽壓輸出
|
±21V
|
電流掃描增量
|
1mA @1A/mS
|
CV和LSV掃描速度
|
0.001mV~10000V/s
|
電位掃描電位增量
|
0.076mV @1V/mS
|
CA和CC脈沖寬度
|
0.0001~65000s
|
DPV和NPV脈沖寬度
|
0.0001~1000s
|
SWV頻率
|
0.001~100KHz
|
CV的較小電位增量
|
0.020mV
|
AD數(shù)據(jù)采集
|
16bit@3.6MHz,20bit @1KHz
|
電流與電位量程
|
自動(dòng)設(shè)置
|
DA分辨率
|
16bit,建立時(shí)間:1μS
|
低通濾波器
|
8段可編程
|
通訊接口
|
USB2.0、RJ45網(wǎng)口
|
儀器重量
|
7.6Kg
|
外形尺寸(cm)
|
36.4(W)*32.0(D)*13.8(H)
|
科思特CS350M電化學(xué)工作站電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
信號(hào)發(fā)生器
|
頻率響應(yīng)
|
10μHz~1MHz
|
頻率精度
|
0.005%
|
交流信號(hào)幅值
|
1mV~2500mV
|
信號(hào)分辨率
|
0.1mV RMS
|
DDS輸出阻抗
|
50Ω
|
正弦波失真率
|
<1%
|
直流偏壓
|
-10V~+10V
|
波形
|
正弦波,三角波,方波
|
掃描方式
|
對(duì)數(shù)/線性,增加/下降
|
信號(hào)分析器
|
較大積分時(shí)間
|
106個(gè)循環(huán)或者105S
|
較小積分時(shí)間
|
10mS 或者一個(gè)循環(huán)的較長(zhǎng)時(shí)間
|
測(cè)量時(shí)間延遲
|
0~105秒
|
直流偏置補(bǔ)償
|
電位補(bǔ)償范圍
|
-10V~+10V
|
電流補(bǔ)償范圍
|
-1A~+1A
|
帶寬調(diào)整
|
自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)
|
科思特CS350M電化學(xué)工作站配置
電腦(選配*)
儀器主機(jī)1臺(tái)
電極電纜線1條
模擬電解池1個(gè)
電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
關(guān)鍵詞:武漢科思特儀器、大電流電化學(xué)工作站、燃料電池、電解水、CS350M、電化學(xué)工作站、科思特CS350M電化學(xué)工作站